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产品描述

当前,随着半导体技术不断微缩,先进的集成电路器件已从平面向三维结构转变,

        当前,随着半导体技术不断微缩,先进的集成电路器件已从平面向三维结构转变,集成电路制造工艺正变得越来越复杂,往往需要经过几百甚至上千道的工艺步骤。对于先进的半导体器件制造,每经过一道工艺,硅片表面都会或多或少地存在颗粒污染物、金属残留或有机物残留等,器件特征尺寸的不断缩小和三维器件结构的日益复杂性,使得半导体器件对颗粒污染、杂质浓度和数量越来越敏感。对硅晶元上掩模表面的污染微粒的清洗技术提出了更高的要求,其关键点在于克服污染微颗粒与基材之间极大的吸附力,传统的化学清洗、机械清洗、超声清洗方法均无法满足需求,而激光清洗可以很容易解决此类污染问题。

        另外,随着集成电路器件尺寸持续缩小,清洗工艺过程中的材料损失和表面粗糙度成为必须关注的问题,将微粒去除而又没有材料损失和图形损伤是最基本的要求,激光清洗技术具有非接触性、无热效应,不会对被清洗物体产生表面损坏,且不会产生二次污染等传统清洗方法所无法比拟的优势,是解决半导体器件污染的清洗方法。


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